安嘉黛博士 |
陈怡汝 2023-10-30 105 |
安嘉黛,陕西西安人,中共党员,1990年1月生,讲师,博士。 主要研究领域: 微波能应用;半导体材料生长及应用;固体电子学理论 主讲课程: 微机原理及单片机应用技术;信号与系统;数据结构 教育经历: 2017.9-至今 西安电子科技大学 微电子学院微电子学与固体电子学专业 博士 2012.9-2015.6 四川大学 电子信息学院电磁场与微波技术专业 硕士 2008.9-2012.6 四川大学 电子信息学院电子信息工程专业 学士 2008.9-2012.6 四川大学(双学位) 经济学院金融学专业 学士 工作经历: 2022-02 至今 周口师范学院 物理与电信工程学院 讲师 2016-03至2020-08 西安培华学院 智能科学与信息工程学院 专职教师 2015-07至2015-12 陕西蔚蓝航天测控技术开发有限公司 电子工程师 科研项目: 河南省高等学校重点科研项目,“高效能MOFs材料微波合成的装置设计及机理研究”,3万元,在研,主持 部分代表性学术论文: 1. Jiadai An, Xianying Dai, Wujian Wu, Runqiu Guo, Lansheng Feng. Kinetic Monte Carlo Simulation of the Growth of AlN Films by Metal Organic Chemical Vapor Deposition [J]. PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2019, 256(12) 2. Jiadai An, Xianying Dai, Qian Zhang, Runqiu Guo, Lansheng Feng. Gas-Phase Chemical Reaction Mechanism in the Growth of AlN during High-Temperature MOCVD: A Thermodynamic Study [J]. ACS OMEGA, 2020, 5(20) 3. Jiadai An, Xianying Dai, Runqiu Guo, Lansheng Feng, Tianlong Zhao. Ab initio study for molecular-scale adsorption, decomposition and desorption on AlN surfaces during MOCVD growth [J]. SCIENTIFIC REPORTS, 2020, 17840(10) 4. Jiadai An, Xianying Dai, Lansheng Feng, Jieming Zheng. Parameter study of the high temperature MOCVD numerical model for AlN growth using orthogonal test design [J]. SCIENTIFIC REPORTS, 2021, 8877(11) 5. Jiadai An,Xianying Dai,Lansheng Feng,Zhiming Li,Jieming Zheng,Jianjun Song,Tianlong Zhao. Design and Process Optimization of a New Reaction Cavity for High-Temperature MOCVD AlGaN Growth [J]. Nano, 2021, 16(7) 6.安嘉黛,黄卡玛. 管道式固体材料微波加热装置的仿真设计. 微波学报. 2015.8
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